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什么是双极性晶体管阵列:

双极晶体管阵列将两个或多个分立晶体管合并在一个共享封装中,或者作为电气上独立的实体,或者在器件封装内部实现它们之间某种形式的互连。阵列中所包含的器件具有紧密匹配或互补的特性,共同封装的特性可最大限度地减少运行期间器件之间的温差。

最大集电极电流 (Ic):
  • 1.5A、1.25A
  • 10A
  • 7.5A, 6.3A
  • 15毫安
  • 1.5A,3A
  • 6.7A, 5.9A
  • 8A
  • 4A
  • 800毫安
  • 50毫安, 100毫安
  • 4.5A, 4A
  • 100毫安、50毫安
  • 20毫安
  • 5.9A
  • 4.8A
  • 1.5A
  • 700毫安
  • 25毫安
  • 600毫安
  • 4A, 3.5A
  • 2A,1.5A
  • 50毫安, 10毫安
  • 5A
  • 4A、3A
  • 1.75A
  • 1A
  • 150毫安、500毫安
  • 2.7A
  • 800毫安, 600毫安
  • 400毫安
  • 500毫安, 100毫安
  • 1.35A、1.1A
  • 3.5A、2.5A
  • 1.2A
  • 6.7A
  • 5.7A, 4.8A
  • 500毫安
  • 100毫安、500毫安
  • 4.5A
  • 30毫安
  • 6.3A
  • 12A
  • 300毫安
  • 6A
  • 500毫安, 600毫安
  • 2A
  • 3.5A
  • 150毫安
  • 700毫安, 500毫安
  • 200毫安
  • 7.5A
  • 5.7A
  • 4.5A, 3.5A
  • 65毫安
  • 40毫安
  • 13A
  • 770毫安
  • 870毫安, 770毫安
  • 200毫安、500毫安
  • 5A, 3.5A
  • 15毫安、100毫安
  • 3A
  • 1.8A
  • 3.5A,3A
  • 870毫安
  • 100毫安
  • 10毫安
  • 50毫安
  • 2.5A
更多
工作温度:
  • -65摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -25摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -20摄氏度~85摄氏度(TA)
  • -40摄氏度~105摄氏度
  • -25摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度
  • -55摄氏度~125摄氏度
  • -40摄氏度~85摄氏度
  • -55摄氏度~150摄氏度(TA)
  • -40摄氏度~105摄氏度(TA)
  • -25摄氏度~85摄氏度
  • -55摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • -20摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 200摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 125摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~125摄氏度(TA)
  • -40摄氏度~85摄氏度(TA)
更多
集电极击穿电压:
  • 40V, 15V
  • 160伏、150伏
  • 20伏、50伏
  • 20伏、10伏
  • 200伏
  • 24伏
  • 36伏
  • 17.5伏
  • 12伏
  • 20伏
  • 32伏
  • 40伏
  • 150伏
  • 500V
  • 50V
  • 70V
  • 8V
  • 90V
  • 80V, 100V
  • 80V, 50V
  • 80V, 70V
  • 50V, 12V
  • 50V, 60V
  • 100伏
  • 50V, 20V
  • 25伏
  • 50V, 40V
  • 45伏
  • 40V, 30V
  • 15伏、12伏
  • 45V, 40V
  • 65V, 60V
  • 55V
  • 75V
  • 400伏
  • 40V, 45V
  • 100V、50V
  • 10伏
  • 160伏
  • 30伏
  • 140伏
  • 120伏
  • 60V
  • 80V
  • 300伏
  • 900V
  • 15伏
  • 40V, 60V
  • 35伏
  • 50V, 10V
  • 11伏
  • 95伏
  • 65V
  • 230伏
  • 30V, 6V
  • 7V
更多
最大功率:
  • 750mW
  • 420mW
  • 210毫瓦
  • 290毫瓦
  • 1.25瓦
  • 360mW
  • 926毫瓦
  • 2.25瓦
  • 100W
  • 385mW
  • 3瓦
  • 4W, 20W
  • 3.2瓦
  • 10W
  • 550mW
  • 2.5瓦
  • 510mW
  • 1.1瓦
  • 325mW
  • 2.2瓦
  • 225毫瓦、200毫瓦
  • 4瓦
  • 55mW
  • 1.31W
  • 357mW
  • 1.5瓦
  • 2.6瓦
  • 330mW
  • 500mW
  • 370mW
  • 480mW
  • 5W
  • 1.2瓦
  • 1W
  • 2.12W
  • 400mW
  • 250mW
  • 600mW
  • 653mW
  • 130瓦
  • 2.27瓦
  • 625mW
  • 300mW
  • 2.3瓦
  • 125毫瓦
  • 2.75瓦
  • 1.6瓦
  • 40W
  • 700mW
  • 150mW
  • 380mW
  • 530mW
  • 80W
  • 5W, 25W
  • 2W
  • 1.8W
  • 200mW
  • 1.04瓦
  • 620mW
  • 240毫瓦
  • 405mW
  • 100mW
  • 830mW
  • 225毫瓦
  • 3W, 15W
  • 310mW
  • 900mW
  • 1.7瓦
  • 200mW、210mW
  • 50mW
  • 350mW
更多
制造厂商:
  • 英飞凌 (Infineon)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
  • 佑风微 (YFW)
  • DComponents (DComponents)
  • 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 德州仪器 (Texas)
  • 三垦电气株式会社 (Sanken)
  • 中央半导体 (Central)
  • 固态公司 (Solid State )
  • 模拟器件公司 (Analog)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 安世 (Nexperia)
  • 三垦 (Allegro MicroSystems)
  • 江苏长电/长晶 (CJ)
  • 安世半导体 (Nexperia)
  • 罗切斯特电子 (Rochester)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 扬杰 (YANGJIE)
  • 双竞集成 (Sungine)
  • 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
  • 强茂 (Panjit)
  • 微芯 (Microchip)
  • 美国埃戈罗 (ALLEGRO)
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • 欧普泰克 (TT)
  • 广东友台半导体 (UMW)
  • 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
  • TO-116
  • MINI6-G1
  • 18-SOP
  • LFPAK56D
  • 8-SO
  • 18-DIP
  • 15-SIP
  • 6-TSOP
  • 16-PDIP
  • 14-Flatpack
  • W-DFN3020-8
  • SOT-66
  • 8-MLP (3x2)
  • SMT6
  • SMT5
  • SM6
  • 6-SMD
  • SMini6-F3-B
  • 6-TSSOP
  • SM8
  • 16-CDIP
  • SMINI6-G1
  • X2-DFN1310-6 (Type B)
  • SSMini6-F3-B
  • SOT-23-6
  • EMT5
  • EMT6
  • SOT-23-3
  • SC-88(SC-70-6)
  • Mini5-G3-B
  • DFN1010B-6
  • PG-SOT-143-3D
  • SMV
  • SSMINI6-F1
  • 18-PDIP
  • SMini5-G1
  • SSMini6-F2
  • 15-ZIP
  • TSMT5
  • ES6
  • DFN1412-6
  • 8-MSOP
  • US6
  • 10-SIP
  • PG-SOT363-6
  • 16-SOP
  • 3-md
  • 16-DIP
  • SSSMini6-F1
  • ESV
  • 16 PowerDIP(20x7.10)
  • SuperSOT-6.
  • VMT6
  • SOT-363
  • P-SOT363-6
  • USV
  • 12-SIP
  • TO-92-3
  • 6-CLCC
  • 14-VSON(6x5)
  • 6-MCPH
  • 21-SIP w/fin
  • TUMT6
  • 14-SOIC
  • 8-SIP
  • PG-SC74-6
  • SOT-26
  • 20-SO
  • SOT-223-3
  • Mini6-G4-B
  • TO-78-6
  • 16-LFCSP(3x3)
  • SC-88/SC70-6/SOT-363
  • TO-77
  • 20立方厘米
  • TO-78
  • 16-CERDIP
  • 6-Flatpack
  • 8-PDIP
  • 6-WDFN (2x2)
  • 16-SOIC
  • 5-TSSOP
  • SOT-963
  • SC-74
  • 16-SO
  • DFN3020B-8
  • 8-SOIC
  • UMT6
  • UMT5
  • 5-CPH
  • Mini5-G1
  • TO-92 (TO-226)
  • SOT-143B
  • TSMT6(SC-95)
  • SOT-563
  • PG-SOT363-PO
  • U-DFN2020-6
  • 6-HUSON-EP (2x2)
  • U-DFN2020-6 (Type B)
  • 6-HUSON (2x2)
更多
晶体管类别:
  • 3 NPN
  • 2 PNP达林顿(双)
  • 9 NPN Darlington
  • 2 NPN(双)
  • 2 PNP预偏置(双)
  • 2个NPN,2个PNP Darlington(H桥)
  • 2 PNP(双)匹配对
  • NPN
  • 8 NPN Darlington
  • 2 NPN达林顿(双)
  • 4 PNP Darlington (Quad)
  • 2 NPN-预偏置(双)
  • NPN,PNP达林顿(双)
  • NPN、PNP互补
  • 4 NPN, 1 PNP Darlington
  • 3 NPN,3 PNP Darlington(三相桥)
  • 4 NPN Darlington (Quad)
  • 5 NPN
  • 2 NPN(双)匹配对,公共发射极
  • 2 PNP(双)
  • 2 NPN(双)公共发射极
  • 即插即用
  • 3 NPN达林顿(发射器耦合)
  • 7 NPN Darlington
  • 2 PNP(双)匹配对,公共发射极
  • 4 NPN (Quad) Matched Pairs
  • 2 NPN(双)公共基极
  • NPN、PNP补充Darlington
  • NPN+齐纳二极管(隔离)
  • NPN、PNP(公共基础)
  • 2 NPN,2 PNP
  • NPN、PNP(发射极耦合)
  • 2个NPN,2个PNP(H桥)
  • NPN,PNP
  • 6 NPN Darlington
  • 4 PNP (Quad)
  • 4 NPN (Quad)
  • 3 PNP达林顿(发射器耦合)
  • 3 PNP
  • 2 NPN(双)配对
更多
当前"双极性晶体管阵列"共 1503 条相关库存
久芯自营
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描述
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DP0150BDJ-7
DP0150BDJ-7
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥77.74529

9000

5-7 工作日

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合计: ¥77.74529

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IMT1AT110
IMT1AT110
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.19773

2100

2-3 工作日

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合计: ¥0.19773

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JANTX2N4854U
JANTX2N4854U
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 600毫安 最大功率: 600mW 供应商设备包装: 6-SMD 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥112.84438

9000

5-7 工作日

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合计: ¥112.84438

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HN1C03FU-B,LF
HN1C03FU-B,LF
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 300毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.82473

2645

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82473

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SLA6022
SLA6022
晶体管类别: 3 NPN,3 PNP Darlington(三相桥) 集电极击穿电压: 80V, 100V 最大集电极电流 (Ic): 5A 最大功率: 5W 供应商设备包装: 12-SIP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥19.87337

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥19.87337

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UMH3NFHATN
UMH3NFHATN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: UMT6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.75230

0

5-7 工作日

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合计: ¥2.75230

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2N2060
2N2060
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 600mW 供应商设备包装: TO-78-6 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥270.95689

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥27,095.68890

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ZDT1147TA
ZDT1147TA
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 12伏 最大集电极电流 (Ic): 5A 最大功率: 2.75瓦 供应商设备包装: SOT-223-3

¥38.26182

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.26182

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HN1B04FU-GR,LF
HN1B04FU-GR,LF
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: US6 工作温度: 125摄氏度(TJ)

¥0.08257

1000

2-3 工作日

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合计: ¥247.70700

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SBC846BDW1T1G
SBC846BDW1T1G
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 65V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 380mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.54829

2985

2-3 工作日

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PBSS4350SS,115
PBSS4350SS,115
晶体管类别: 2 NPN(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 2.7A 最大功率: 2W 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥231.67208

9000

5-7 工作日

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合计: ¥231.67208

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JANTX2N6989U
JANTX2N6989U
晶体管类别: 4 NPN (Quad) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 800毫安 最大功率: 1W 供应商设备包装: 20立方厘米 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥111.64206

9000

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合计: ¥111.64206

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SMBT3906DW1T1G
SMBT3906DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.82473

2559

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合计: ¥2.82473

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SLA6026
SLA6026
晶体管类别: 3 NPN,3 PNP Darlington(三相桥) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 5W 供应商设备包装: 12-SIP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥24.77072

38

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合计: ¥24.77072

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BC817RAPNZ
BC817RAPNZ
晶体管类别: NPN,PNP 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 350mW 供应商设备包装: DFN1412-6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.89716

2

5-7 工作日

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合计: ¥2.89716

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HN1A01FE-GR,LF
HN1A01FE-GR,LF
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 100mW 供应商设备包装: ES6 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.44146

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,765.82000

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JANTX2N3810U
JANTX2N3810U
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 350mW 供应商设备包装: TO-78-6 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度(TJ)

¥271.39146

0

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合计: ¥27,139.14630

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SBC856BDW1T1G
SBC856BDW1T1G
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 65V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 380mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.47659

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合计: ¥3.47659

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IMT17-7
IMT17-7
晶体管类别: 2 PNP(双) 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-26 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥49.26621

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PMP4501G,135
PMP4501G,135
晶体管类别: 2 NPN(双)匹配对,公共发射极 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 5-TSSOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.28972

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