硅电容,简称(Si-Cap),是以硅材料作为介电层,采用半导体制造工艺制作而成的电容器,与主流的MLCC(片式多层陶瓷电容器)相比,它的体积更小,性能更稳定、耐老化、耐温性等更优异,显著的缺点就是相比制造成本更高,所以是一种目前趋近于完美的电容器件,业内有人认为是MLCC的高端替代品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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电容: 6.8 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.36911 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥636.91060 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 8.2 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥8.68708 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥868.70810 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 22 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥7.54814 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥754.81350 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 50 pF 击穿电压: 200伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 高度: 0.008英寸(0.20毫米) | ¥10.03108 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,003.10800 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 3.8 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.36911 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥636.91060 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 15 pF 公差: ±20% 包装/外壳: 非标准 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥6.61044 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥661.04400 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 333 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥8.90835 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.90835 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 33 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥9.39102 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥939.10210 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 500 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥16.36871 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1,636.87080 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 5 pF 公差: ±10% 击穿电压: 50 V 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 高度: 0.007英寸(0.18毫米) | ¥29.66304 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥23,730.42880 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 1000 pF 公差: ±15% 击穿电压: 50 V 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 高度: 0.005英寸(0.12毫米) | ¥34.61562 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,846.24800 | 立即购买 加入购物车 | ||
电容: 1000 pF 公差: ±20% 击穿电压: 100伏 包装/外壳: 非标准芯片 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度 高度: 0.006英寸(0.15毫米) | ¥38.58588 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.58588 | 添加到BOM 立即询价 |