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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
    封装:
    • TO-204AE (TO-3)
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    IRF433
    IRF433
    场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 最大功耗: 75W 供应商设备包装: TO-204AE (TO-3) PDF数据手册

    ¥8.98120

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    合计: ¥1,383.10480

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    IRF433 规格参数
    属性 参数值
    部件状态 可供货
    场效应管类型 n通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    场效应管特性 -
    安装类别 通孔
    驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
    开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
    总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
    导通电阻 Rds(ON) -
    最大栅源极电压 (Vgs) -
    最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
    工作温度 -
    漏源电压标 (Vdss) 450伏
    制造厂商
    最大功耗 75W
    包装/外壳 至204AE
    漏源电流 (Id) @ 温度 4A
    供应商设备包装 TO-204AE (TO-3)
    色彩/颜色 -
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