分类:
- 存储器
制造商:
- 镁光 (Micron)
封装:
- 90-VFBGA (8x13)
- 86-TSOP II
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) PDF数据手册 | ¥110.74394 | 2713 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥110.74394 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II PDF数据手册 | ¥70.47342 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.47342 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II PDF数据手册 | ¥35.63507 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.63507 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II PDF数据手册 | ¥38.87989 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.87989 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II PDF数据手册 | ¥163.93580 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥163.93580 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II PDF数据手册 | ¥51.39562 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.39562 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) PDF数据手册 | ¥7.53262 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.53262 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) PDF数据手册 | ¥39.32895 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.32895 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) PDF数据手册 | ¥27.87068 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.87068 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) PDF数据手册 | ¥66.76505 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.76505 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) PDF数据手册 | ¥80.55553 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.55553 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) PDF数据手册 | ¥28.34871 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.34871 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II PDF数据手册 | ¥27.49405 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.49405 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II PDF数据手册 | ¥42.97937 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.97937 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) PDF数据手册 | ¥143.68465 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥143.68465 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II PDF数据手册 | ¥146.87153 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥146.87153 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) PDF数据手册 | ¥67.90943 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.90943 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) PDF数据手册 | ¥49.29518 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.29518 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-VFBGA (8x13) PDF数据手册 | ¥27.11742 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.11742 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II PDF数据手册 | ¥163.37085 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥163.37085 | 添加到BOM 立即询价 |
MT48LC4M32B2B5-6A AAT:L TR 规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 部件状态 | 可供货 |
| 存储类型 | Volatile |
| 存储格式 | DRAM |
| 储存接口 | 并联 |
| 安装类别 | 表面安装 |
| 技术 | 同步动态随机存取内存 |
| 单字、单页写入耗时 | 12ns |
| 电源电压 | 3V~3.6V |
| 工作温度 | -40摄氏度～105摄氏度（TA） |
| 制造厂商 | 镁光 (Micron) |
| 包装/外壳 | 90-VFBGA |
| 供应商设备包装 | 90-VFBGA (8x13) |
| 访达时期 | 5.4 ns |
| 存储容量 | 128Mb (4M x 32) |
| 时钟频率 | 167兆赫 |
| 数据手册PDF | PDF链接 |