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分类:
  • 存储器
制造商:
  • 镁光 (Micron)
封装:
  • 63-VFBGA (10.5x13)
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描述
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MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥37.81677

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MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (10.5x13)

¥43.08077

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MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR 规格参数
属性 参数值
部件状态 可供货
储存接口 并联
单字、单页写入耗时 -
存储类型 Non-Volatile
电源电压 1.7伏~1.95伏
工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
安装类别 表面安装
存储格式 FLASH
存储容量 4Gb (512M x 8)
时钟频率 -
访达时期 -
制造厂商 镁光 (Micron)
技术 FLASH-NAND
包装/外壳 63-VFBGA
供应商设备包装 63-VFBGA (10.5x13)
数据手册PDF
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