分类:
- 存储器
制造商:
- 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
封装:
- 8-DFN (5x6)
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) PDF数据手册 | ¥44.10926 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥176,437.04000 | 添加到BOM 立即询价 |
MR25H256CDFR 规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 单字、单页写入耗时 | - |
| 存储类型 | Non-Volatile |
| 工作温度 | -40摄氏度~85摄氏度（TA） |
| 安装类别 | 表面安装 |
| 储存接口 | 串行外设接口 |
| 访达时期 | - |
| 部件状态 | 不适用于新设计 |
| 存储容量 | 256Kb (32K x 8) |
| 电源电压 | 2.7伏~3.6伏 |
| 时钟频率 | 40兆赫 |
| 制造厂商 | 埃弗斯宾半导体 (Everspin) |
| 存储格式 | RAM |
| 技术 | 磁阻式RAM |
| 包装/外壳 | 8-VDFN Exposed Pad |
| 供应商设备包装 | 8-DFN (5x6) |
| 数据手册PDF | PDF链接 |