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分类:
  • 存储器
制造商:
  • 恩智浦 (NXP)
  • 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
封装:
  • 44-TSOP II
  • 44-TSOP2
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MR0A16AYS35
MR0A16AYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 PDF数据手册

¥105.67391

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥105.67391

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MR0A16AYS35R
MR0A16AYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2 PDF数据手册

¥83.54685

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥125,320.27500

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MR0A16AYS35R
MR0A16AYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥39.64764

9000

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MR0A16AYS35 规格参数
属性 参数值
部件状态 可供货
储存接口 并联
存储类型 Non-Volatile
安装类别 表面安装
时钟频率 -
工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
电源电压 3V~3.6V
包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
单字、单页写入耗时 35ns
访达时期 35纳秒
存储容量 1Mb (64K x 16)
制造厂商 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
存储格式 RAM
技术 磁阻式RAM
供应商设备包装 44-TSOP2
数据手册PDF PDF链接
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