分类:
- 存储器
制造商:
- 芯成 (ISSI)
- 美国芯成 (ISSI)
封装:
- 44-TSOP II
- 48-VFBGA (6x8)
- 48-TFBGA (6x8)
- 48-miniBGA (7.2x8.7)
- 48-TSOP I
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II PDF数据手册 | ¥50.05496 | 610 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥50.05496 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (7.2x8.7) PDF数据手册 | ¥81.55332 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥81.55332 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II PDF数据手册 | ¥22.37549 | 79 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥22.37549 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I PDF数据手册 | ¥39.49264 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,582.58688 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I PDF数据手册 | ¥33.83745 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50,756.17500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II PDF数据手册 | ¥32.47028 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32,470.28000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 44-TSOP II PDF数据手册 | ¥39.97892 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,794.30840 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 44-TSOP II PDF数据手册 | ¥35.88821 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35,888.21000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8) PDF数据手册 | ¥36.16076 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,357.16480 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II PDF数据手册 | ¥46.87243 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12,655.55610 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (7.2x8.7) PDF数据手册 | ¥47.15128 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥117,878.20000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8) PDF数据手册 | ¥32.74899 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥81,872.47500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8) PDF数据手册 | ¥41.97474 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥13,096.11888 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (7.2x8.7) PDF数据手册 | ¥52.14309 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,268.64408 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II PDF数据手册 | ¥27.46119 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥27,461.19000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II PDF数据手册 | ¥32.91559 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥32,915.59000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (7.2x8.7) PDF数据手册 | ¥44.76112 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥111,902.80000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8) PDF数据手册 | ¥36.71853 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥91,796.32500 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8) PDF数据手册 | ¥33.69329 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥84,233.22500 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) PDF数据手册 | ¥26.26276 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.26276 | 添加到BOM 立即询价 |
IS62WV51216EBLL-45TLI 规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 部件状态 | 可供货 |
| 制造厂商 | 美国芯成 (ISSI) |
| 存储类型 | Volatile |
| 储存接口 | 并联 |
| 工作温度 | -40摄氏度~85摄氏度（TA） |
| 安装类别 | 表面安装 |
| 时钟频率 | - |
| 存储格式 | SRAM |
| 技术 | SRAM-异步 |
| 电源电压 | 2.2伏~3.6伏 |
| 包装/外壳 | 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width) |
| 供应商设备包装 | 44-TSOP II |
| 存储容量 | 8Mb (512K x 16) |
| 单字、单页写入耗时 | 45ns |
| 访达时期 | 45纳秒 |
| 数据手册PDF | PDF链接 |