分类:
- 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
- 英飞凌 (Infineon)
- 黑森尔 (Vishay Siliconix)
封装:
- D2PAK
- TO-220-3
- TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
- D?PAK (TO-263)
- TO-220AB
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥3.01377 | 1190 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.01377 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥11.87836 | 484 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.87836 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥4.99615 | 802 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.99615 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥13.54422 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.54422 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥11.80593 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.80593 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥13.61665 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.61665 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥4.63546 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,158.86500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥31.95568 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.95568 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥32.91174 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.91174 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥19.75863 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.75863 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥4.85274 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.85274 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥37.05468 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.05468 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥87.04517 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.04517 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥118.04478 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥118.04478 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥6.24338 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.24338 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥13.13862 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.13862 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥51.74328 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.74328 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥59.68150 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.68150 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥24.06091 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.06091 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥12.96479 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.96479 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥10.14006 | 9950 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,169.97284 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥2.62193 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.62193 | 添加到BOM 立即询价 |
IRF3205PBF 规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 部件状态 | 可供货 |
| 场效应管类型 | n通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 4V @ 250A |
| 最大栅源极电压 (Vgs) | ±20V |
| 场效应管特性 | - |
| 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） | 10伏 |
| 工作温度 | -55摄氏度~175摄氏度（TJ） |
| 安装类别 | 通孔 |
| 包装/外壳 | 至220-3 |
| 供应商设备包装 | TO-220AB |
| 制造厂商 | 英飞凌 (Infineon) |
| 漏源电压标 (Vdss) | 55 V |
| 最大功耗 | 200W（Tc） |
| 漏源电流 (Id) @ 温度 | 110A（Tc） |
| 导通电阻 Rds(ON) | 8毫欧姆 @ 62A, 10V |
| 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 146 nC@10 V |
| 最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 3247 pF @ 25 V |
| 数据手册PDF | PDF链接 |