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分类:
  • 分立双极结型晶体管
制造商:
  • 达尔科技 (Diodes rporated)
封装:
  • SOT-223-3
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FZT851TA
FZT851TA
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 6 A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 3 W 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: SOT-223-3 PDF数据手册

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FZT851QTA
FZT851QTA
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 6 A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 3 W 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: SOT-223-3 PDF数据手册

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875

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FZT851TC
FZT851TC
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 6 A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 3 W 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: SOT-223-3 PDF数据手册

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FZT851TA 规格参数
属性 参数值
部件状态 可供货
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
晶体管类别 NPN
制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
安装类别 表面安装
包装/外壳 至261-4,至261AA
供应商设备包装 SOT-223-3
集电极击穿电压 60 V
集电极最大截止电流 50nA (ICBO)
最大集电极电流 (Ic) 6 A
最大功率 3 W
特征频率 130MHz
最小直流增益 100@2A,1V
最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 375mV @ 300毫安, 6A
数据手册PDF PDF链接
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