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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
  • 位置/接近/速度模块传感器
制造商:
  • 易福门 (ifm efector)
  • DComponents (DComponents)
封装:
  • 6-QFN (2x2)
  • Cylinder, Threaded - M30
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描述
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DI010N03PW-AQ
DI010N03PW-AQ
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 1.4W(Tc) 供应商设备包装: 6-QFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

¥3.06136

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合计: ¥91.84080

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DI010N03PW
DI010N03PW
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 1.4W(Tc) 供应商设备包装: 6-QFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

¥3.70598

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合计: ¥111.17940

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DI0101
DI0101
输出类别: 常开型 电源电压: 20V ~ 250V 包装/外壳: 气缸,螺纹-M30 工作温度: -25摄氏度~80摄氏度(TA)

¥1,369.41510

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DI010N03PW-AQ 规格参数
属性 参数值
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
安装类别 表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25 nC@10 V
漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Tc)
导通电阻 Rds(ON) 12毫欧姆@10A,10V
包装/外壳 6-PowerUDFN
最大功耗 1.4W(Tc)
制造厂商 DComponents (DComponents)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1120 pF@15 V
供应商设备包装 6-QFN (2x2)
数据手册PDF PDF链接
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