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分类:
  • 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
  • 英飞凌 (Infineon)
封装:
  • PG-TDSON-8-5
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BSC0996NSATMA1
BSC0996NSATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 34伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册

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BSC0996NSATMA1 规格参数
属性 参数值
部件状态 可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
安装类别 表面安装
驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
制造厂商 英飞凌 (Infineon)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
最大功耗 2.5W(Ta)
包装/外壳 8-PowerTDFN
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20 nC@10 V
漏源电流 (Id) @ 温度 13A(Ta)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1500 pF@15 V
漏源电压标 (Vdss) 34伏
供应商设备包装 PG-TDSON-8-5
导通电阻 Rds(ON) 9欧姆@8A,10V
数据手册PDF PDF链接
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