图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 34伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) PDF数据手册 | ¥1.73830 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25800 | 添加到BOM 立即询价 |
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 部件状态 | 可供货 |
| 场效应管类型 | n通道 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 最大栅源极电压 (Vgs) | ±20V |
| 场效应管特性 | - |
| 工作温度 | -55摄氏度~150摄氏度(TJ) |
| 安装类别 | 表面安装 |
| 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) | 4.5V, 10V |
| 制造厂商 | 英飞凌 (Infineon) |
| 开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 2V@250A. |
| 最大功耗 | 2.5W(Ta) |
| 包装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 20 nC@10 V |
| 漏源电流 (Id) @ 温度 | 13A(Ta) |
| 最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 1500 pF@15 V |
| 漏源电压标 (Vdss) | 34伏 |
| 供应商设备包装 | PG-TDSON-8-5 |
| 导通电阻 Rds(ON) | 9欧姆@8A,10V |
| 数据手册PDF | PDF链接 |