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分类:
  • 存储器
制造商:
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • IDT公司 (IDT)
封装:
  • 100-TQFP (14x14)
  • 100-TQFP (14x20)
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71V2576S150PF
71V2576S150PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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71V3576YS150PF
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20) PDF数据手册

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71V2576YS150PFG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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71V2546S150PFG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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71T75602S150PF
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

¥48.38257

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71V67803S150PFGI
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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71V2546S150PFG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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71V2556S150PFG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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71V67603S150PF
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

¥43.45740

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71V2556S150PFG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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71T75602S150PFG8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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71V65603S150PFG
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

¥76.82406

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71V65803S150PFG
71V65803S150PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(512K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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71V3576S150PFI
71V3576S150PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

¥14.55823

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71V2576S150PFI
71V2576S150PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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71V65603S150PFGI8
71V65603S150PFGI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

¥170.66292

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IDT71V2576S150PF8
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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IDT71V2576S150PFI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

¥74.52944

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IDT71V2576YS150PFG8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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IDT71V2546S150PFI8
IDT71V2546S150PFI8
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) PDF数据手册

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71V2576S150PF 规格参数
属性 参数值
部件状态 可供货
存储类型 Volatile
储存接口 并联
单字、单页写入耗时 -
安装类别 表面安装
存储格式 SRAM
工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
技术 SRAM-同步,SDR
包装/外壳 100-LQFP
电源电压 3.135V~3.465V
制造厂商 IDT公司 (IDT)
供应商设备包装 100-TQFP(14x14)
存储容量 4.5Mb (128K x 36)
时钟频率 150兆赫
访达时期 3.8纳秒
数据手册PDF PDF链接
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