9icnet为您提供由Silicon Labs设计和生产的SI4060-B1B-FMR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4060-B1B-FMR参考价格为2.62000美元。Silicon Labs SI4060-B1B-FMR封装/规格：RF TX IC 142MHZ-1.05GHZ 20VFQFN。您可以下载SI4060-B1B-FMR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4056DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SI4056DY GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及ThunderFET TrenchFET商品名，该器件还可以用作8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳。此外，该技术为硅，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装类型的表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为5.7W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为900pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为11.1A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为23mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为29.5nC@10V，Pd功耗为5.7W，Id连续漏极电流为11.1A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.8V，Rds漏极-源极电阻为23mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为9.7nC。
带有用户指南的SI4060-B1B-FM，包括1.8V~3.6V电源，它们设计用于EZRadioPRO商品名，系列如数据表注释所示，用于EZRadioPROR，提供13dBm等功率输出功能，包装设计用于管交替包装，以及20-VFQFN外露衬垫包装箱，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，频率为142MHz~1.05GHz，设备提供1Mbps最大数据速率，设备具有PCB，数据接口表面安装，电流传输为18mA，应用为通用，天线连接器为PCB，表面安装。
带有电路图的SI4056DY-T1-E3 SI4056DY T1-E3在SOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
