BGS15MA12E6327 RF MOS开关专为LTE和WCDMA分集应用而设计。该SP5T在终端模式下提供低插入损耗和低谐波生成。
该开关通过MIPI RFFE控制器进行控制。片上控制器允许1.1至1.95 V的电源电压。该开关具有直接连接电池功能和无直流射频端口的特点。与GaAs技术不同，只有在外部施加直流电压时，才需要RF端口处的外部直流阻断电容器。BGS15MA12E6327射频开关采用英飞凌的专利MOS技术制造，具有GaAs的性能和传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。该装置的尺寸非常小，仅为1.1 x 1.9mm2，最大高度为0.65mm。
特色
- 低插入损耗
- 低谐波产生
- 高端口到端口隔离
- 适用于LTE/WCDMA Rx应用
- 0.1至2.9 GHz覆盖
- 如果射频线路上没有直流电，则不需要去耦电容器
- 包括ESD保护的片上控制逻辑
- 集成MIPI RFFE接口，工作电压范围为1.1至1.95V
- 软件可编程MIPI RFFE USID
- 直接到电池供电
- 小尺寸1.1mm x 1.9mm
- 无需电源阻塞
- 高EMI鲁棒性
- 符合RoHS和WEEE标准的包装
应用
- 适用于LTE/WCDMA Rx应用
- 特别设计用于具有CA的多频带RX分集
