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F2915NBGK8

  • 描述:RF类型: General Purpose 拓扑结构: 吸收的 集成电路: SP5T 频率的范围: 50MHz ~ 8GHz 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 24-VFQFPN(4x4)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
1+ 34.24403 34.24403
200+ 13.25204 2650.40900
500+ 12.79183 6395.91600
1000+ 12.56172 12561.72500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥34.24404
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥31,404.31
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • RF类型 General Purpose
  • 特点 -
  • 阻抗值 50欧姆
  • 试验频率 8GHz
  • 工作温度 -40摄氏度~105摄氏度(TC)
  • 拓扑结构 吸收的
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 电源电压 2.7伏~5.5伏
  • 集成电路 SP5T
  • 频率的范围 50MHz ~ 8GHz
  • 1dB压缩点 36.5分贝m
  • 包装/外壳 24-WFQFN外露衬垫
  • 插入损耗 2.3分贝
  • IIP3值 60.5分贝m
  • 供应商设备包装 24-VFQFPN(4x4)
  • 隔离 36.5分贝

F2915NBGK8 产品详情

F2915NBGK是一款高可靠性、低插入损耗、50ΩSP5T吸收式射频开关,专为广泛的无线和其他射频应用而设计。该设备覆盖从50 MHz到8000 MHz的宽频率范围。除了提供低插入损耗外,F2915NBGK还提供优异的线性和隔离性能,同时为未使用的RF端口提供50Ω的端接。F2915NBGK还包括正在申请专利的恒定阻抗(Kz)特性。Kz提高了开关的耐用性,最小化了VCO中的LO损耗,并减少了分布网络中的相位和幅度变化。它也是两个或多个放大器之间动态切换/选择的理想选择,同时避免损坏PA和ADC等上游/下游敏感设备。

F2915NBGK使用单个正电源电压,支持使用3.3V或1.8V控制逻辑的三个逻辑控制引脚。连接负电压topin 20禁用内部负电压发生器,并成为负电源。

特色

  • 五个对称宽带吸收射频端口
  • 恒定阻抗,Kz,特性
  • 高性能射频
    • 隔离50 dB@2700 MHz
    • 2700 MHz时的插入损耗为1.2 dB
  • 高连续RF CW功率处理
    • 所选射频路径:33dBm
    • 端接射频路径:27dBm
  • 隔离50 dB@2700 MHz
  • 2700 MHz时的插入损耗为1.2 dB
  • 所选射频路径:33dBm
  • 端接射频路径:27dBm
  • 高线性:
    • 114dBm的IIP2
    • 60 dBm的IIP3
  • 单个2.7V至5.50 V电源电压
  • 外部负电源选项
  • 3.3 V和1.8 V兼容控制逻辑
  • 工作温度-40°C至+105°C
  • 4 mm x 4 mm 24针QFN封装
  • 114dBm的IIP2
  • 60 dBm的IIP3


(图片:引出线)


F2915NBGK8所属分类:射频开关,F2915NBGK8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。F2915NBGK8价格参考¥34.244038,你可以下载 F2915NBGK8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询F2915NBGK8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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