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F2923NCGI8

  • 描述:RF类型: LTE、WiMax 拓扑结构: 吸收的 集成电路: 继电器 频率的范围: 300千赫兹 ~ 8GHz 电源电压: 2.1V ~ 3.5V 供应商设备包装: 20-VFQFPN(4x4)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 4000

数量 单价 合计
1+ 19.15145 19.15145
200+ 7.41346 1482.69300
500+ 7.15169 3575.84550
1000+ 7.02603 7026.03900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥19.15145
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥28,104.16
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集成电路 继电器
  • 特点 -
  • 阻抗值 50欧姆
  • RF类型 LTE、WiMax
  • 试验频率 8GHz
  • 拓扑结构 吸收的
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • IIP3值 66分贝m
  • 隔离 29分贝
  • 1dB压缩点 32分贝m
  • 包装/外壳 20-WFQFN外露衬垫
  • 供应商设备包装 20-VFQFPN(4x4)
  • 工作温度 -55摄氏度~105摄氏度
  • 频率的范围 300千赫兹 ~ 8GHz
  • 插入损耗 1.12分贝
  • 电源电压 2.1V ~ 3.5V

F2923NCGI8 产品详情

F2923NCGI8是一款低插入损耗50ΩSP2T(SPDT)吸收式射频开关,专为多种无线和其他射频应用而设计。该设备覆盖从300kHz到8000MHz的宽频率范围。F2923NCGI8除了提供低插入损耗、2GHz的业界领先隔离和出色的线性度外,还包括一项正在申请专利的恒定阻抗(K|z|)功能。

特色

  • 过渡期间的恒定阻抗K|z|
  • 非常低的插入损耗:0.48 dB@2 GHz
  • 高输入IP3:66 dB@2 GHz
  • RF1/RF2至RF_Com隔离:74 dB@2 GHz
  • 1针或2针设备控制选项
  • 低直流电流:127µA,使用3.3 V逻辑
  • 支持1.8 V和3.3 V控制逻辑
  • 扩展温度:-55°C至+105°C
  • 4 mm x 4 mm,20针TQFN封装
  • 与F2912兼容的行业标准封装和引脚


(图片:引出线)


F2923NCGI8所属分类:射频开关,F2923NCGI8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。F2923NCGI8价格参考¥19.151452,你可以下载 F2923NCGI8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询F2923NCGI8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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