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F1150NBGI

  • 描述:RF类型: General Purpose 频率: 1.7GHz~2.2GHz 混频器数量: two 电源电压: 4.75伏~5.25伏 工作电流: 334毫安 供应商设备包装: 36-VFQFPN(6x6)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 77.29689 77.29689
200+ 29.91563 5983.12740
490+ 28.86853 14145.58313
980+ 28.34498 27778.08726
  • 库存: 480
  • 单价: ¥77.29690
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥77.30
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 次要属性 下变频器
  • 电源电压 4.75伏~5.25伏
  • RF类型 General Purpose
  • 混频器数量 two
  • 频率 1.7GHz~2.2GHz
  • 噪声系数 10分贝
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 包装/外壳 36-WFQFN外露衬垫
  • 增益 8.5分贝
  • 供应商设备包装 36-VFQFPN(6x6)
  • 工作电流 334毫安

F1150NBGI 产品详情

IDT F1150NBGI双通道设备设计为使用单个5V电源工作。它经过优化,可在多模式、多载波基站接收机中工作,适用于1700-2200 MHz的高频带,并具有高侧注入。支持50至450 MHz的中频。名义上,该设备提供+40 dBm输出IP3和335 mA ICC。或者,可以调整4个电阻值和一个切换引脚,以在低电流模式下运行设备,输出IP3为+36 dBm,ICC为235 mA。

IDT零失真成员™ 这种RF到IF混频器减少了失真,从而提高了SNR,同时降低了功耗。

特色

  • 分集系统的双路径
  • 1700至2200 MHz频率范围
  • 多载波系统的理想选择
  • 8.5 dB增益(200 MHz IF)
  • 超线性+38 dBm IP3O(350 MHz IF)
  • 超线性+40 dBm IP3O(200 MHz IF)
  • 低NF<10 dB
  • 200欧姆输出阻抗
  • 超高+13 dBm P1dBI
  • 现有无线电卡的插入式替换
  • 6x6 mm 36针包装
  • 断电模式
  • 电源关闭后小于200 nsec稳定
  • 最小化待机模式下的合成拉动
  • 低电流模式:ICC=235 mA
  • 标准模式:ICC=335 mA
  • 针对高压侧喷射进行了优化


(图片:引出线)


F1150NBGI所属分类:射频混频器,F1150NBGI 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。F1150NBGI价格参考¥77.296895,你可以下载 F1150NBGI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询F1150NBGI规格参数、现货库存、封装信息等信息!

瑞萨电子 (Renesas)

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash;安全可靠。作为微控制器...

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