F2932EVBI是一款高可靠性、低插入损耗、50ΩSP2T吸收式射频开关，专为广泛的市场和应用而设计。该设备覆盖50 MHz至8000 MHz的宽频率范围，工作温度范围为-40至105°C，电源电压范围为2.7至5.5 VDC。F2932EVBI专为高功率处理而设计，P1 dB高达36.5 dBm，支持直通路径中34 dBm的峰值工作功率和端接RF端口中27 dBm的热切换功率。除了提供低插入损耗外，F2932EVBI还提供高隔离和低失真性能，同时为未使用的RF端口提供50Ω端接。
F2932EVBI使用单个正电源电压，支持使用3.3V或1.8V控制逻辑的三个逻辑控制引脚。ENABLE（启用）功能将部件置于所有路径关闭状态，并在使用时禁用VCTL的控制。
特色
- 高性能RF@2 GHz
- 67 dB的RFC-RFX隔离
- 插入损耗0.79 dB
- 高连续RF CW功率处理
- 所选射频路径：34 dBm
- 端接射频路径：27 dBm
- 高线性：
- 111 dBm的IIP2
- 64 dBm的IIP3
- 3.3 V和1.8 V兼容控制逻辑
- 工作温度-40°C至+105°C
- 启用功能将部件置于所有路径关闭状态，并禁用VCTL的控制
- 4 mm x 4 mm 16针QFN封装
- 67 dB的RFC-RFX隔离
- 插入损耗0.79 dB
- 所选射频路径：34 dBm
- 端接射频路径：27 dBm
- 111 dBm的IIP2
- 64 dBm的IIP3
（图片：引出线）
