CMPA901A035F

克里语�CMPA1D1E025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC），采用0.25μ。与硅、砷化镓或GaN-on-Si相比，GaN-on-SiC具有更好的财产，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。该Ku波段MMIC采用10引线、25 mm x 9.9 mm金属/陶瓷法兰封装，可实现最佳电气和热性能。