GS8256436GD-200IV
- 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)
- 品牌: 德国重离子研究中心 (GSI)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 10
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 10+ | 3248.44065 | 32484.40650 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3,248.44065
-
数量:
- +
- 总计: ¥32,484.41
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 存储类型 Volatile
- 储存接口 并联
- 单字、单页写入耗时 -
- 安装类别 表面安装
- 访达时期 -
- 存储格式 SRAM
- 时钟频率 200兆赫
- 包装/外壳 165-LBGA
- 制造厂商 德国重离子研究中心 (GSI)
- 工作温度 -40摄氏度~100摄氏度（TJ）
- 技术 SRAM-同步，标准
- 电源电压 1.7伏~2伏，2.3伏~2.7伏
- 供应商设备包装 165-FPBGA (15x13)
- 存储容量 288Mb (8M x 36)
GS8256436GD-200IV 产品详情
GSI Technology SyncBurst SRAMs are a broad portfolio of Synchronous Burst (SyncBurst) SRAMs with fast clock rates and low power. SyncBurst SRAMs provide a "burst" of (typically) 2 to 4 words in response to a single clock signal. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. SyncBurst SRAMs are used in military, networking, industrial, automotive and medical imaging applications where a mid-range performance point is required.
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GS8256436GD-200IV所属分类：存储器，GS8256436GD-200IV 由 德国重离子研究中心 (GSI) 设计生产，可通过久芯网进行购买。GS8256436GD-200IV价格参考￥3248.440650，你可以下载 GS8256436GD-200IV中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询GS8256436GD-200IV规格参数、现货库存、封装信息等信息！
德国重离子研究中心 (GSI)
GSI Technology，Inc.成立于1995年，是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能...
