久芯网
BOM 购物车
71V424L10YG
收藏 71V424L10YG数据手册PDF

71V424L10YG

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 36-SOJ
  • 品牌: IDT公司 (IDT)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 46

  • 库存: 0
  • 单价: ¥29.98561
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,379.34
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度（TA）
  • 存储容量 4Mb (512K x 8)
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 单字、单页写入耗时 10ns
  • 访达时期 10纳秒
  • 包装/外壳 36-BSOJ (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 36-SOJ
  • 制造厂商 IDT公司 (IDT)

71V424L10YG 产品详情

The 71V424L10YG 3.3V CMOS SRAM is organized as 512K x 8. All bidirectional inputs and outputs of the 71V424L10YG are TTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.

Feature

  • JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise
  • Equal access and cycle times
  • — Commercial and Industrial: 10/12/15ns
  • Single 3.3V power supply
  • One Chip Select plus one Output Enable pin
  • Bidirectional data inputs and outputs directly
  • TTL-compatible
  • Low power consumption via chip deselect
  • Available in 36-pin, 400 mil plastic SOJ and 44-pin, 400 mil TSOP packages


71V424L10YG 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
71VN3680DQ30K71VN3680DQ30K基美 (AC)0 68 U 520VV¥0.6846
71VI33304030K71VI33304030K基美 (AC).033UF 520V¥1.81073
71V65703S75PFI71V65703S75PFIIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥43.4574
71V67603ZS133PF71V67603ZS133PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥43.4574
71V3557S85PF71V3557S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3558XS133PFG71V3558XS133PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PFG71V3579YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3577YS85PFG71V3577YS85PFGIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20）¥14.55823
71V3559S85PF71V3559S85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V3579YS85PF71V3579YS85PFIDT公司 (IDT)存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14）¥14.55823
71V424L10YG所属分类：存储器，71V424L10YG 由 IDT公司 (IDT) 设计生产，可通过久芯网进行购买。71V424L10YG价格参考￥29.985606，你可以下载 71V424L10YG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询71V424L10YG规格参数、现货库存、封装信息等信息！

IDT公司 (IDT)

IDT公司 (IDT)

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...

展开

该制造商其他商品

会员中心 微信客服
客服
回到顶部