这些16位缓冲器/驱动器专门设计用于低电压（3.3V）VCC操作，但具有向5V系统环境提供TTL接口的能力。
这些设备是由两个具有独立输出使能信号的8位部分组成的非反相16位缓冲器。对于任一8位缓冲器部分，两个输出使能（1OE1和1OE2或2OE1和2OE2）输入必须为低，以使相应的Y输出有效。如果任一输出使能输入为高，则该8位缓冲器部分的输出处于高阻抗状态。
当VCC介于0和1.5 V之间时，设备在通电或断电期间处于高阻抗状态。然而，为了确保1.5 V以上的高阻抗状态，OE应通过上拉电阻器连接到VCC；电阻器的最小值由驱动器的电流吸收能力确定。
提供有源总线保持电路以将未使用或浮动数据输入保持在有效逻辑电平。
这些设备完全指定用于使用Ioff和通电3状态的热插拔应用。Ioff电路禁用输出，防止设备断电时损坏电流回流。加电三态电路在加电和断电期间将输出置于高阻抗状态，从而防止驱动器冲突。
SN54LVTH16541的特点是在-55°C至125°C的全军事温度范围内运行。
SN74LVTH16541DLR的工作温度为-40°C至85°C。
特色
- 德州仪器Widebus家族成员
- 用于3.3V操作和低静态功耗的先进BiCMOS技术（ABT）设计
- 支持混合模式信号操作
（5V输入和输出电压，3.3V VCC） - 支持低至2.7 V的无调节电池操作
- VCC=3.3 V，TA=25°C时，典型VOLP（输出接地弹跳）<0.8 V
- 关闭和通电3状态支持热插拔
- 总线保持数据输入无需外部上拉/下拉电阻器
- 分布式VCC和GND引脚配置最小化高速开关噪声
- 流程式架构优化PCB布局
- 根据JESD 17，锁存性能超过500 mA
- 根据MIL-STD-883方法3015，ESD保护超过2000 V；使用机器型号时超过200 V（C=200 pF，R=0）
- 包装选项包括塑料收缩小轮廓（DL）和薄收缩小轮廓包装（DGG）以及使用25密耳中心间距的380密耳细间距陶瓷扁平（WD）包装
