AD587JR代表了最先进的单片电压基准的重大进步。AD587JR采用专有的离子注入埋置齐纳二极管和高稳定性薄膜电阻器的激光晶片微调，以低成本提供卓越的性能。
AD587JR提供了比大多数其他10 V参考更高的性能。因为AD587JR使用了行业标准的引脚，所以许多系统可以使用AD587立即升级。
与带隙电压基准相比，埋入式齐纳基准设计方法提供了更低的噪声和漂移。AD587JR提供了一个降噪引脚，可用于进一步降低埋置齐纳产生的噪声水平。
AD587JR建议用作需要外部精度参考的8位、10位、12位、14位或16位DAC的参考。该设备也是连续逼近或集成ADC的理想选择，精度高达14位。总的来说，它提供了比标准片上参考更好的性能。
AD587J和AD587K规定在0°C至70°C的温度范围内工作，AD587U规定在−55°C至+125°C的范围内工作。AD587JQ和AD587UQ型号提供8导联CERDIP。其他型号可用于表面安装应用的8引脚SOIC封装或8引脚PDIP。
产品亮点
特色
- 激光微调至高精度10.000 V±5 mV（U级）
- 修整温度系数最大值5 ppm/°C（U级）
- 降噪能力
- 低静态电流：最大4 mA
- 输出微调能力
- 提供符合MIL-STD-883的版本
（图片：引出线）
