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MC74VHCT125ADR2G

  • 描述:逻辑类型: 缓冲区,非反相 电源电压: 2伏~5.5伏 每个元件的位数: one 供应商设备包装: 14-SOIC 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TA) 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.73649 4.73649
10+ 3.97153 39.71532
30+ 3.58381 107.51430
100+ 3.19608 319.60880
500+ 2.97602 1488.01450
1000+ 2.85028 2850.28200
  • 库存: 5164
  • 单价: ¥4.73650
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.74
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 逻辑类型 缓冲区,非反相
  • 输出类别 三态
  • 输入类别 -
  • 安装类别 表面安装
  • 元件数量 four
  • 每个元件的位数 one
  • 输出高电流, 输出低电流 8毫安, 8毫安
  • 电源电压 2伏~5.5伏
  • 包装/外壳 14-SOIC(0.154“,3.90毫米宽)
  • 供应商设备包装 14-SOIC
  • 工作温度 -55摄氏度~125摄氏度(TA)

MC74VHCT125ADR2G 产品详情

MC74VHCT125ADR2G是具有三态控制输入的四总线缓冲器。它是一种采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS四总线缓冲器。它实现了类似于等效双极肖特基TTL的高速操作,同时保持CMOS低功耗。它需要将三态控制输入(OE)设置为高,以将输出置于高阻抗状态。VHCT输入与TTL电平兼容。该器件可以用作3.3至5V接口的电平转换器,因为它具有全5V CMOS电平输出摆动。当VCC=0V时,输出结构也提供保护。这些输入和输出结构有助于防止电源电压-输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔导致的设备损坏。内部电路由三级组成,包括一个缓冲输出,提供高抗噪性和稳定输出。输入可承受高达7V的电压,允许5V系统与3V系统之间的接口。

特色

  • 输入端提供断电保护
  • 平衡传播延迟
  • 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
  • 设计用于2至5.5V工作范围
  • 高速-传播延迟(tpd)=3.8ns,VCC=5V时典型值
  • 低功耗-TA=25°C时ICC=4µA最大值
  • 闩锁性能超过300mA
  • 芯片复杂性-72个FET或18个等效栅极
MC74VHCT125ADR2G所属分类:逻辑接收/发送/驱动/缓冲器,MC74VHCT125ADR2G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MC74VHCT125ADR2G价格参考¥4.736498,你可以下载 MC74VHCT125ADR2G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MC74VHCT125ADR2G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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