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NE521DR2G是集成电路比较器DUAL DIFF 14-SOIC，包括NE521系列，它们设计用于模拟比较器产品，类型如数据表注释所示，用于差速器，提供切割胶带（CT）替代包装等包装功能，单位重量设计为0.011923盎司，以及SMD/SMT安装样式，该器件也可以用作14-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为0°C~70°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有输出型TTL，信道数为2信道，供应商器件封装为14-SOIC，单双电源电压为±4.75 V~5.25 V，元件数为2，电压输入偏移最大值为7.5mV@±4.75V，电流输入偏置最大值为20μA@±5.25V，电流静态最大值为35mA，传播延迟最大值为12ns，响应时间为9.6ns，关机为无关机，Pd功耗为1040mW，最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，工作电源电流为35 mA，电源电压最大值为7V，Ib输入偏置电流为20uA，Vos输入偏置电压为7.5mV，Vcm共模电压为负轨-3V至正轨+3V，每个通道的输出电流为20mA。
NE521DR2是IC比较器DUAL DIFF 14-SOIC，包括±4.75 V～5.25 V电压供应单双路，它们设计为在7.5mV@±4.75V电压输入偏置最大值下工作，类型如数据表注释所示，用于差分，提供供应商设备包功能，如14-SOIC、传播延迟最大值设计为12ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作14-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒。此外，输出类型为TTL，工作温度范围为0°C~70°C，器件有2个元件，安装类型为表面安装，电流静态最大值为35mA，电流输入偏置最大值为20μa@±5.25V。
NE521DR，电路图由PHILIPS制造。NE521DR在SOP14封装中提供，是线性比较器的一部分。
