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LMC660CM是集成电路OPAMP GP 1.4MHZ RRO 14SOIC，包括LMC660系列，它们设计用于运算放大器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供SMD/SMT等安装方式功能，技术设计用于CMOS，以及4通道数，该设备也可用于无关机，其最大工作温度范围为+70℃，最小工作温度范围0℃，器件的工作电源电流为2.7 mA，电源电压Max为15.5 V，电源电压Min为4.75 V，封装外壳为SOIC窄14，Ib输入偏置电流为4 pA，Vos输入偏置电压为6 mV，PSRR电源抑制比为63dB，每通道输出电流为40mA，CMRR共模抑制比为62dB，GBP增益带宽积为1.4MHz，SR转换率为1.1V/us，5V时输入电压噪声密度为22nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.0002pA/sqrt Hz。
LMC660CM/NOPB是集成电路OPAMP GP 1.4MHZ RRO 14SOIC，包括6 mV Vos输入偏置电压，它们设计为与CMOS技术一起工作。数据表注释中显示了用于4.75 V的最小电源电压，提供了15.5 V等最大电源电压功能，SR转换率设计为1.1 V/us，以及无关机关机，该设备也可以用作LMC660系列。此外，PSRR电源抑制比为63 dB，该器件在运算放大器产品中提供，该器件具有封装管，封装外壳为SOIC窄14，每个通道的输出电流为40 mA，工作电源电流为2.7 mA，通道数为4通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为0 C，它的最大工作温度范围为+70℃，输入噪声电流密度为0.0002 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为4 pA，GBP增益带宽积为1.4 MHz，输入电压噪声密度为22 nV/sqrt Hz（5V），共模抑制比为62 dB。
LMC660AMJ/883QF，带有NS制造的电路图。LMC660AMJ/883QF采用DIP14封装，是IC芯片的一部分。
LMC660CD，带有NS制造的EDA/CAD模型。LMC660CD采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
