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OPA659IDBVT是IC OPAMP JFET 350MHZ SOT23-5，包括OPA659系列，它们设计用于运算放大器产品，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.000617盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及1信道数信道，该器件也可以用作电压反馈拓扑。此外，放大器类型为电压反馈型，最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，开发套件为OPA659EVM，封装外壳为SOT-23-5，Ib输入偏置电流为50 pA，Vos输入偏置电压为5 mV，PSRR电源抑制比为58 dB，CMRR共模抑制比为68dB，GBP增益带宽积为350MHz，SR转换率为2550V/us，输入电压噪声密度为8.9nV/sqrt Hz，电压增益dB为58dB。
OPA659IDRBR是IC OPAMP JFET 350MHZ 8SON，包括5 mV Vos输入偏置电压，它们设计为以58 dB电压增益dB工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000847盎司，提供电压反馈、SR转换率等拓扑功能，设计为2550 V/us，以及OPA659系列，该设备还可以用作58dB PSRR电源抑制比。此外，该产品是运算放大器，该器件采用卷筒包装，该器件具有VSON-8封装盒，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+85℃，Ib输入偏置电流为50 pA，GBP增益带宽乘积为350MHz，输入电压噪声密度为8.9nV/sqrt Hz，开发套件为OPA659EVM，共模抑制比为68dB，放大器类型为电压反馈。
OPA659IDRBT是IC OPAMP JFET 350MHZ 8SON，包括68 dB共模抑制比，它们设计用于OPA659EVM开发套件，输入电压噪声密度如数据表注释所示，用于8.9 nV/sqrt Hz，提供GBP增益带宽产品特性，如350 MHz，Ib输入偏置电流设计为1.2 nA，它的最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围是-40℃。此外，安装类型为SMD/SMT，设备提供1个通道数量的通道，设备的工作电源电流为70 mA，包装箱为VSON-8，包装为卷轴式，产品为运算放大器，PSRR电源抑制比为58dB，系列为OPA659，SR转换率为2550V/us，单位重量为0.000847oz，电压增益dB为58dB、Vos输入偏置电压为5mV。
