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THS4061CD是IC OPAMP VFB 180MHZ 8SOIC,包括THS4061系列,它们设计用于运算放大器产品,包装如数据表注释所示,用于管中,提供单位重量功能,如0.002677盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及1信道数信道,该器件也可以用作电压反馈拓扑。此外,放大器类型为电压反馈,该器件提供740 mW Pd功耗,最大工作温度范围为+70 C,最小工作温度范围0 C,工作电源电流为10.5 mA,电源电压最大值为33 V,电源电压最小值为9 V,封装外壳为SOIC-8,Ib输入偏置电流为6 uA,Vos输入偏置电压为8 mV,PSRR电源抑制比为70 dB,每通道输出电流为115 mA,CMRR共模抑制比为70dB,GBP增益带宽乘积为100 MHz,SR转换率为400 V/us,输入电压噪声密度为14.5 nV/sqrt Hz,电压增益dB为78.06 dB。
THS4052IDGNR是IC OPAMP VFB 70MHZ 8MSOP,包括10mV Vos输入偏置电压,它们设计为以75.56dB电压增益dB工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000861盎司,提供最小电源电压功能,如9V,最大电源电压设计为在33V工作,以及200V/us SR转换率,该设备也可以用作THS4052系列。此外,PSRR电源抑制比为70 dB,该器件在运算放大器产品中提供,该器件具有2140 mW的Pd功耗,封装为卷轴式,封装外壳为HVSSOP-8,工作电源电流为21 mA,通道数为2通道,安装类型为SMD/SMT,其最低工作温度范围为-40℃,它的最大工作温度范围为+85℃,Ib输入偏置电流为6 uA,输入电压噪声密度为14 nV/sqrt Hz,共模抑制比为70 dB。
THS4052IDR是IC OPAMP VFB 70MHZ 8SOIC,包括70 dB共模抑制比,它们设计用于14 nV/sqrt Hz输入电压噪声密度,Ib输入偏置电流如数据表注释所示,用于6 uA,最大工作温度范围为+85 C,最小工作温度范围-40 C,以及SMD/SMT安装类型,该设备也可以用作2信道数信道。此外,工作电源电流为21mA,该器件采用SOIC-8封装盒,该器件具有一卷封装,Pd功耗为740mW,产品为运算放大器,PSRR电源抑制比为70dB,系列为THS4052,SR转换率为200V/us,电源电压最大值为33V,电源电压最小值为9V,单位重量为0.00267oz,电压增益dB为75.56dB,Vos输入偏置电压为10mV。
THS4052IDRG4是TI制造的IC OPAMP VFB 70MHZ 8SOIC。THS4052 IDRG4提供8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装,是线性放大器-仪表、运算放大器、缓冲放大器的一部分,并支持IC OPAMP VFB 70MHZ8SOIC。