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TL081CDR是IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC，包括TL081系列，它们设计用于操作运算放大器产品，包装如数据表注释所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.002561盎司，安装方式设计用于SMD/SMT，以及BiFET技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，放大器类型为通用放大器，该设备提供无关机关机模式，其最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，工作电源电流为2.8 mA，电源电压最大值为36 V，电源电压最小值为7 V，封装外壳为SOIC-8，Ib输入偏置电流为400 pA，Vos输入偏置电压为15mV，Vcm共模电压为负轨+4V至正轨-4V，共模抑制比为70dB，GBP增益带宽乘积为3MHz，SR转换率为13V/us，输入电压噪声密度为18nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.01pA/sqrt Hz；最大双电源电压为+/-18V，最小双电源电压为+/-3.5 V。
TL081CDT是IC OPAMP JFET 4MHZ 8SO，包括10mV Vos输入偏置电压，它们设计为在0.017870盎司单位重量下工作。数据表说明中显示了BiFET中使用的技术，该BiFET提供最小电源电压功能，例如6V，最大电源电压设计为36V，以及16V/us SR转换率，该设备也可以用作无关机关机。此外，该系列为TL081，该器件提供70 dB PSRR电源抑制比，该器件具有产品运算放大器，包装为卷轴式，封装外壳为SO-8，每个通道的输出电流为40 mA，工作电源电流为2.5 mA，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为0 C，最小双电源电压为+/-3 V，最大工作温度范围+70 C，最大双电源电压+/-18 V，Ib输入偏置电流为400 nA，GBP增益带宽积为4 MHz，输入电压噪声密度为15 nV/sqrt Hz，共模抑制比为70 dB，放大器类型为通用放大器。
TL081CDRG4是由TI制造的IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC。TL081CDRG48-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是线性放大器-仪表、运算放大器、缓冲放大器的一部分，并支持IC OPAMP肯尼迪3MHZ 8SOIC。
