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NE5534DR2G是集成电路OPAMP GP 10MHZ 8SOIC，包括NE5534系列，它们设计用于运算放大器产品，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.019048盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及双极技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，放大器类型为低噪声放大器，该设备在无停机停机时提供，其最大工作温度范围为+70 C，最小工作温度范围0 C，工作电源电流为8 mA，封装外壳为SOIC-8，Ib输入偏置电流为2 uA，Vos输入偏置电压为4 mV，PSRR电源抑制比为100 dB，Vcm共模电压为负轨+3 V至正轨-3 V，每个通道的输出电流为38 mA，CMRR共模抑制比为70 dB，GBP增益带宽积为10 MHz，SR转换率为13 V/us，输入电压噪声密度为4 nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为2.5 pA/sqrt Hz，最大双电源电压为+/-20 V，最小双电源电压+/-3 V。
NE5534DR是IC OPAMP GP 10MHZ 8SOIC，包括4 mV Vos输入偏置电压，它们设计为在0.002561盎司单位重量下工作。数据表说明中显示了用于双极型的技术，该双极型提供最小电源电压功能，例如10 V，最大电源电压设计为在30 V下工作，以及13 V/us SR转换率，该设备还可以用作无关机关机。此外，该系列为NE5534，该器件以运算放大器产品提供，该器件具有一卷封装，封装外壳为SOIC-8，每个通道的输出电流为38 mA，工作电源电流为4 mA，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为0 C，最小双电源电压为+/-5 V，最大工作温度范围为+70 C，最大双电源电压+/-15 V，输入噪声电流密度为2.5 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为1.5 uA，GBP增益带宽积为10 MHz，输入电压噪声密度为3.5 nV/sqrt Hz；共模抑制比为100 dB，放大器类型为低噪声放大器。
NE5534DRE4是TI制造的运算放大器-低噪声高Sp音频运算放大器。NE5534BRE4以SOIC-8封装形式提供，是线性放大器-仪表、运算放大器、缓冲放大器的一部分，并支持运算放大器-运算放大器-高噪声高Sp音频运算放大器、运算放大器-单GP±15V 8引脚SOIC T/R。
