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LMC662AIN/NOPB是集成电路OPAMP GP 1.4MHZ RRO 8DIP，包括LMC662系列，它们设计用于运算放大器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.026879盎司，安装方式设计用于通孔，以及CMOS技术，该设备也可以用作2信道数信道。此外，停机为无停机，其最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，工作电源电流为1.3 mA，电源电压最大值为15.5 V，电源电压最小值为4.75 V，包装箱为MDIP-8，Ib输入偏置电流为4 pA，Vos输入偏置电压为3 mV，PSRR电源抑制比为70dB，每通道输出电流为40mA，CMRR共模抑制比为68dB，GBP增益带宽乘积为1.4MHz，SR转换率为1.1V/us，5V时输入电压噪声密度为22nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.0002pA/sqrt Hz。
LMC662CM是集成电路OPAMP GP 1.4MHZ RRO 8SOIC，包括6 mV Vos输入偏置电压，它们设计用于0.006596盎司单位重量的操作。数据表说明中显示了CMOS中使用的技术，该CMOS提供最小电源电压功能，例如4.75 V，最大电源电压设计用于15.5 V，以及1.1 V/us SR转换率，该设备也可以用作无关机关机。此外，该系列为LMC662，该器件提供63 dB PSRR电源抑制比，该器件具有产品运算放大器，封装为管，封装外壳为SOIC窄8，每个通道的输出电流为40 mA，工作电源电流为1.6 mA，通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为0℃，最大工作温度范围+70℃，输入噪声电流密度为0.0002 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为4 pA，GBP增益带宽积为1.4 MHz，输入电压噪声密度为22 nV/sqrt Hz（5V），共模抑制比为62 dB。
162厘米。电路图由NS制造。LMC662CM。SOP封装中提供，是IC芯片的一部分。
