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LMV341QDBVRQ1是集成电路OPAMP GP 1MHZ RRO SOT23-6，包括LMV341-Q1系列，它们设计用于运算放大器产品，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.000473盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CMOS技术，该设备也可以用作轨道到轨道输出类型。此外，信道数为4信道，该设备为低压放大器放大器类型，该设备具有关机功能，最高工作温度范围为+125 C，最低工作温度范围-40 C，工作电源电流为170 uA，电源电压最大值为5.5 V，电源电压最小值为2.5 V，封装情况为SOT-23-6，Ib输入偏置电流为120pA，Vos输入偏置电压为4mV，每通道输出电流为32mA，CMRR共模抑制比为56dB，GBP增益带宽积为1MHz，SR转换率为1V/us，输入电压噪声密度为39nV/sqrt Hz，输入噪声电流密度为0.001pA/sqrt Hz。
LMV341QDCKRQ1是集成电路OPAMP GP 1MHZ RRO SC70-6，包括4 mV Vos输入偏置电压，它们设计为以0.000988 oz单位重量运行。数据表说明中显示了CMOS中使用的技术，该CMOS提供最小电源电压功能，如2.5 V，最大电源电压设计为5.5 V，以及1 V/us SR转换率，该设备也可以用作关机关机。此外，该系列为LMV341-Q1，该器件以运算放大器产品提供，该器件有一卷包装，包装箱为SC-70-6，输出类型为轨对轨，每个通道的输出电流为32 mA，工作电源电流为170 uA，通道数为4通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+125℃，输入噪声电流密度为0.001 pA/sqrt Hz，Ib输入偏置电流为120 pA，GBP增益带宽积为1 MHz，输入电压噪声密度为39 nV/sqrt Hz；共模抑制比为56 dB，放大器类型为低压放大器。
LMV341MGX/NOPB是IC OPAMP GP 1MHZ RRO SC70-6，包括56 dB CMRR共模抑制比，它们被设计为在5 V输入电压噪声密度下以39 nV/sqrt Hz工作，GBP增益带宽产品如数据表注释所示，用于1 MHz，提供Ib输入偏置电流特性，如5 V时0.0002 uA，在输入噪声电流密度设计为工作在0.001 pA/sqrt Hz，其最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C。此外，安装类型为SMD/SMT，设备提供1个通道数量的通道，设备的工作电源电流为200 uA，每个通道的输出电流为113 mA，包装箱为SC-70-6，包装为卷筒，产品为运算放大器，PSRR电源抑制比为65dB，系列为LMV341-N，关机为关机，SR转换率为1V/us，电源电压最大值为5.5V，电源电压最小值为2.7V，技术为CMOS，单位重量为0.000988盎司，Vos输入偏置电压为4mV。
