这些器件是低成本、低功率的双运算放大器,设计用于单电源或双电源操作。这些运算放大器采用ST硅栅CMOS工艺,具有优异的消耗速度比。这些系列非常适合低功耗应用。
有三种功耗可供选择,从而始终具有最佳的功耗速度比:I科科斯群岛=10μA/安培:TS27L2(极低功率)I科科斯群岛=150μA/安培:TS27M2(低功率)I科科斯群岛=1毫安/安培:TS272(标准)
这些CMOS放大器提供非常高的输入阻抗和极低的输入电流。与JFET器件相比,主要优点是输入电流随温度漂移非常低(见图2)。
特色
- Vio最大值降至2 mV(B版本)
 - 宽电源电压范围:3至16 V
 - 输出电压对地摆动
 - 超低功耗:150μA/op典型值
 - 增益带宽乘积:典型1MHz
 - 电容负载上的出色相位裕度
 



















