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OPA659IDRBR是IC OPAMP JFET 350MHZ 8SON，包括OPA659系列，它们设计用于运算放大器产品，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供单位重量功能，如0.000847盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及1信道数量的信道，该器件也可以用作电压反馈拓扑。此外，放大器类型为电压反馈型，最大工作温度范围为+85℃，最小工作温度范围-40℃，开发套件为OPA659EVM，封装外壳为VSON-8，Ib输入偏置电流为50 pA，Vos输入偏置电压为5 mV，PSRR电源抑制比为58 dB，CMRR共模抑制比为68dB，GBP增益带宽积为350MHz，SR转换率为2550V/us，输入电压噪声密度为8.9nV/sqrt Hz，电压增益dB为58dB。
OPA659 IDRBT是IC OPAMP JFET 350MHZ 8SON，包括5 mV Vos输入偏置电压，它们设计为以58 dB电压增益dB工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000847盎司，提供2550 V/us等SR转换率功能，系列设计用于OPA659，以及58 dB PSRR电源抑制比，该器件也可以用作运算放大器产品。此外，包装为卷轴式，该设备采用VSON-8封装盒，该设备的工作电源电流为70 mA，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-40 C，最大工作温度范围+85 C，Ib输入偏置电流为1.2 nA，GBP增益带宽乘积为350MHz，输入电压噪声密度为8.9nV/sqrt Hz，开发套件为OPA659EVM，共模抑制比为68dB。
OPA660AP是BB制造的IC OPAMP TRANSCOND 850MHZ 8DIP。OPA660P可提供8-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是线性放大器-仪表、运算放大器、缓冲放大器的一部分，并支持IC OPAMP TRANSCOND 850MHZ 8DIP、跨导放大器1电路8-PDIP。
OPA660AU，带有TI/BB制造的EDA/CAD模型。OPA660AU采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
