特色
- 改善直流性能的片内偏置电压微调
- 比前几代低功耗BiFET更低的本底噪声
- 290µA/通道典型低电源电流
- 6µV/°C典型偏移漂移
- 90dB典型共模抑制比

起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 31.46528 | 31.46528 |
| 200+ | 12.18045 | 2436.09000 |
| 500+ | 11.74956 | 5874.78150 |
| 1000+ | 11.53937 | 11539.37400 |
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