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VNS1NV04DPTR-E是MOSFET N-CH 40V 1.7A 8SOIC?,VIPower?系列,它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品,类型如数据表注释所示,用于功率MOSFET,提供Digi-ReelR替代封装等封装功能,单位重量设计为0.004395盎司,以及SMD/SMT安装样式,该器件还可以用作8-SOIC(0.154“,3.90mm宽)封装外壳。此外,输入类型为非反相,工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),该设备具有N通道输出类型,接口为开/关,供应商设备包为8-SO,比率输入:输出为1899/12/30 1:01:00,配置为单一,输出数量为2,不需要电压源Vcc Vdd,故障保护为限流(固定)、过温、过电压,输出配置为低侧,并且Rds On Typ为250 mOhm(最大值),电压负载为36V(最大),电流输出最大值为1.7A,开关类型为通用型,工作电源电流为150 uA,输出电流为-3A,下降时间为600ns,上升时间为500ns。
VNS1NV04DPTR,带有ST制造的用户指南。VNS1NV04 DPTR以SOP8包提供,是PMIC-配电开关、负载驱动器的一部分。
VNS1NV04DPTRE,带有ST制造的电路图。VNS1NV04 DPTRE可在SOP8封装中获得,是IC芯片的一部分。