特色
- 非常精确的可调输出过压保护
- 极低工作电源电流（典型值为4mA）
- 内部启动计时器
- 芯片上的电流检测滤波器
- 禁用功能
- 过渡模式操作
L6561D
- 描述:电源电压: 11伏~18伏 模式: 不连续（过渡） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -25摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.57570 | 8.57570 |
| 30+ | 7.59833 | 227.94993 |
- 库存: 0
- 单价: ¥8.57571
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.58
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规格参数
- 安装类别 表面安装
- 开关频率 -
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 工作温度 -25摄氏度~125摄氏度
- 模式 不连续（过渡）
- 部件状态 不适用于新设计
- 启动电流 50 A
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 电源电压 11伏~18伏
L6561D 产品详情
L6561D是一种过渡模式功率因数校正器。它与标准版本完全兼容，具有卓越的性能乘法器，使该设备能够在宽输入电压范围应用中工作，具有出色的THD。此外，启动电流已降低到几十mA，ZCD引脚上已实现禁用功能，确保待机模式下的低电流消耗。该芯片采用混合BCD技术实现，具有微功率启动电流1%精度内部参考电压软输出过电压保护的优点，无需外部低通滤波器即可检测极低的工作静态电流，最大限度地减少功耗。图腾柱输出级能够以±400mA的源电流和漏电流驱动功率MOS或IGBT。
L6561D 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | L653 | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | EN L653 1 1/4 IN. EMT STRAP | ¥9.27091 |
| L650-EN | 阿西亚·布朗·勃法瑞 (ABB Power ) | EN L650EN 1/2 IN. EMT STRAP | ¥2.39016 |
 | L6599AFDTR | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 电源电压: 8.85V ~ 16V 工作电流: 3.5毫安 应用及使用: 谐振变换器控制器 供应商设备包装: 16-SO 工作温度: -50摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥32.42115 |
 | L6571BD | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 同步的 电源电压: 10伏～16.6伏 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装 | ¥18.5807 |
| L65V_2A8AT | 美国怀格 (Vicor) | DC/DC CONVERTER 65V | ¥477.55337 |
| L65D1S001-AZZ00-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 | |
| L65E1S001-JZZ00-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 | |
| L65E1AC01-A9Z00-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 | |
| L65G1B051-00000-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 | |
| L65B3C881-00000-000 | SWITCH ROCKER | ¥0.00 |
L6561D所属分类：功率因数校正 (PFC)，L6561D 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。L6561D价格参考￥8.575709，你可以下载 L6561D中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询L6561D规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
