Smart SIPMOS®片上芯片技术中的N沟道垂直功率FET。提供嵌入式保护功能。
特色
- 逻辑电平输入
 - 输入保护(ESD)
 - 带锁扣的热关机
 - 过载保护
 - 短路保护
 - 过电压保护
 - 电流限制
 - 带外部输入电阻器的状态反馈
 - 模拟驱动可能
 - AEC合格
 - 绿色产品(符合RoHS)
 
应用
- 24V应用
 - 直线导线
 

起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 | 
|---|---|---|
| 1+ | 41.35695 | 41.35695 | 
| 10+ | 37.14159 | 371.41591 | 
| 25+ | 35.11357 | 877.83947 | 
| 100+ | 30.43104 | 3043.10440 | 
| 250+ | 28.87077 | 7217.69475 | 
| 500+ | 27.14059 | 13570.29750 | 
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Smart SIPMOS®片上芯片技术中的N沟道垂直功率FET。提供嵌入式保护功能。

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。