LTC435IMS使用外部N沟道MOSFET创建了一个接近理想的二极管。它取代了高功率肖特基二极管和相关的散热器,节省了电源和电路板面积。理想的二极管功能允许低损耗功率ORing和电源保持应用。
LTC435IMS调节MOSFET两端的正向压降,以确保二极管OR应用中的平滑电流传输。快速接通可减少电源切换期间的负载电压下降。如果输入电源发生故障或短路,快速关闭可使反向电流最小化。
控制器的电源为2.9V至18V。对于较低的电压,VCC引脚需要外部电源。在欠压或过压条件下,动力通道被禁用。该控制器还具有一个开路MOSFET检测电路,该电路在导通状态下触发通过晶体管的过大压降。REV引脚启用反向电流,在需要时覆盖二极管行为。
特色
- 功率二极管的低损耗更换
 - 控制N沟道MOSFET
 - 0V至18V电源ORing或Holdup
 - 0.5μs开启和关闭时间
 - 欠电压和过电压保护
 - 开路MOSFET检测
 - 状态和故障输出
 - 可热插拔
 - 反向电流启用输入
 - 12针MSOP和DFN(3mm×3mm)封装
 
应用
- 冗余电源
 - 供应滞留
 - 电信基础设施
 - 计算机系统和服务器
 
 
 (图片:引出线) 
 
  















