起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 18.04100 | 18.04100 |
| 10+ | 16.21525 | 162.15251 |
| 25+ | 15.29876 | 382.46920 |
| 100+ | 13.03426 | 1303.42620 |
| 250+ | 12.23901 | 3059.75350 |
| 500+ | 10.70913 | 5354.56900 |
| 1000+ | 8.87328 | 8873.28500 |
| 2500+ | 8.65968 | 21649.20000 |
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
ZXGD3111N7TC是一款200V有源或环MOSFET控制器，设计用于驱动非常低的RDS（ON）功率MOSFET作为理想的二极管。这取代了标准整流器，以减少正向电压降并整体提高功率传输效率。
ZXGD3111N7TC可用于高侧和低侧电源单元（PSU），导轨电压高达±200V。它使非常低的RDS（ON）MOSFET能够作为理想的二极管工作，因为关断阈值仅为3mV，公差为±2mV。在典型的48V配置中，待机功耗为
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ZXGD3009E6TA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 40V（最大值） 供应商设备包装: SOT-26 安装类别: 表面安装 | ¥1.78353 |
 | ZXGD3006E6QTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT、SiC MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 40V（最大值） 供应商设备包装: SOT-26 安装类别: 表面安装 | ¥3.80088 |
 | ZXGD3005E6TA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 25V（最大值） 供应商设备包装: SOT-26 安装类别: 表面安装 | ¥4.25123 |
 | ZXGD3002E6TA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 20V（最大值） 供应商设备包装: SOT-23-6 安装类别: 表面安装 | ¥4.28264 |
 | ZXGD3004E6TA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 40V（最大值） 供应商设备包装: SOT-23-6 安装类别: 表面安装 | ¥3.27625 |
 | ZXGD3009DYTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 40V（最大值） 供应商设备包装: SOT-363 安装类别: 表面安装 | ¥0.63721 |
 | ZXGD3101N8TC | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 高端或低端 通道类型: 单个的 电源电压: 5V ~ 15V 供应商设备包装: 8-SO 安装类别: 表面安装 | ¥7.57722 |
 | ZXGD3003E6QTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: IGBT，N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 40V（最大值） 供应商设备包装: SOT-23-6 安装类别: 表面安装 | ¥2.32924 |
 | ZXGD3001E6QTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 低压侧 通道类型: 单个的 电源电压: 12V（最大值） 供应商设备包装: SOT-23-6 安装类别: 表面安装 | ¥2.44015 |
 | ZXGD3004E6QTA | TRANSISTOR GATE DRIVER SOT26 T&R | ¥0.00 |
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
