LM5100/LM5101高压栅极驱动器设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高端驱动器能够
工作电源电压高达100V。输出由CMOS输入阈值(LM5100)或TTL输入阈值(LM 5101)独立控制。提供集成的高压二极管来对高压侧栅极驱动自举电容器充电。一个健壮的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率,并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。该器件可用于标准SOIC-8引脚和LLP-10引脚封装。
特征:
●驱动高端和低端N通道
金属氧化物半导体场效应晶体管
●独立的高和低驱动器逻辑输入(TTL
LM5101或LM5100的CMOS)
●自举电源电压范围高达118V DC
●快速传播时间(典型值为25 ns)
●驱动1000 pF负载,上升和下降时间为15 ns
●出色的传播延迟匹配(典型值为3 ns)
●供电轨欠压锁定
●低功耗
●引脚与HIP2100/HIP2101兼容
典型应用:
●电流馈电推挽转换器
●半桥和全桥功率转换器
●同步降压转换器
●两个开关正向功率转换器
●带有源箝位转换器的正向
包裹:
●土壤-8
●LLP-10(4毫米x 4毫米)
简化的块
特色
- 驱动高端和低端N通道
MOSFET - 独立的高电平和低电平驱动器逻辑输入
- 引导电源电压高达118 V DC
- 快速传播时间(典型25 ns)
- 驱动1000 pF负载,8-ns升降
时间 - 优秀的传播延迟匹配(3-ns
典型) - 供电轨欠压锁定
- 低功耗
- 引脚与HIP2100/HIP2101兼容