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LM5101AMX

  • 描述:闸门类型: N通道MOSFET 驱动器配置: 半桥 通道类型: 独立的 电源电压: 9V~14V 供应商设备包装: 8-SOIC 安装类别: 表面安装
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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  • 单价: ¥19.03434
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥19.03
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规格参数

  • 连通针脚数量 thirteen
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 通道类型 独立的
  • 驱动器数量 two
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 输入类别 非反相
  • 驱动器配置 半桥
  • 闸门类型 N通道MOSFET
  • 部件状态 过时的
  • 电源电压 9V~14V
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • 波峰值电流输出 (灌入,提拉) 3A,3A
  • 高侧最大电压 (自举) 118伏
  • 逻辑电压-VIL、VIH 2.3V, -
  • 上升/下降时长(典型值) 430ns, 260ns

LM5101AMX 产品详情

说明:
LM5100/LM5101高压栅极驱动器设计用于以同步降压或半桥配置驱动高侧和低侧N沟道MOSFET。浮动高端驱动器能够

工作电源电压高达100V。输出由CMOS输入阈值(LM5100)或TTL输入阈值(LM 5101)独立控制。提供集成的高压二极管来对高压侧栅极驱动自举电容器充电。一个健壮的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率,并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低压侧和高压侧电源轨均提供欠压锁定。该器件可用于标准SOIC-8引脚和LLP-10引脚封装。

特征:
驱动高端和低端N通道
金属氧化物半导体场效应晶体管
独立的高和低驱动器逻辑输入(TTL
LM5101或LM5100的CMOS)

自举电源电压范围高达118V DC
快速传播时间(典型值为25 ns)
驱动1000 pF负载,上升和下降时间为15 ns
出色的传播延迟匹配(典型值为3 ns)
供电轨欠压锁定
低功耗
引脚与HIP2100/HIP2101兼容
典型应用:

电流馈电推挽转换器
半桥和全桥功率转换器
同步降压转换器
两个开关正向功率转换器
带有源箝位转换器的正向
包裹:
土壤-8
LLP-10(4毫米x 4毫米)
简化的块

特色

  • 驱动高端和低端N通道
    MOSFET
  • 独立的高电平和低电平驱动器逻辑输入
  • 引导电源电压高达118 V DC
  • 快速传播时间(典型25 ns)
  • 驱动1000 pF负载,8-ns升降
    时间
  • 优秀的传播延迟匹配(3-ns
    典型)
  • 供电轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 引脚与HIP2100/HIP2101兼容


LM5101AMX所属分类:栅极驱动器,LM5101AMX 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。LM5101AMX价格参考¥19.034341,你可以下载 LM5101AMX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询LM5101AMX规格参数、现货库存、封装信息等信息!

德州仪器 (Texas)

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