特色
- 驱动N沟道FET全桥,包括高侧斩波能力
- 引导电源最大电压至95VDC
- 在+50°C的自由空气中以1MHz的频率驱动1000pF负载,上升和下降时间通常为10ns
- 用户可编程停滞时间
- 电荷泵和自举保持上偏压电源
- DIS(禁用)引脚将闸门拉低
- 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
- 极低功耗
- 欠电压保护
- 无铅可选
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 48.59985 | 48.59985 |
10+ | 43.66744 | 436.67444 |
25+ | 41.28453 | 1032.11325 |
100+ | 35.78065 | 3578.06500 |
250+ | 33.94602 | 8486.50600 |
500+ | 30.45958 | 15229.79050 |
1000+ | 28.90858 | 28908.58700 |
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