STG4160BJR器件是一种采用硅栅C2MOS技术制造的高速CMOS低压单模拟SPDT（单极双掷）开关或2:1多路复用器/解复用器开关。其设计工作电压为1.65至4.8 V，是便携式应用的理想选择。它在V时提供低导通电阻（典型值为0.40Ω）科科斯群岛=4.3 V。SEL输入用于控制开关。
当SEL输入保持为高时，开关S1接通（连接到公共端口D），当SEL保持为低时，开关S1断开（两个端口之间存在高阻抗状态）。当SEL输入保持为低时，开关S2接通（连接到公共端口D）。
其他关键特性包括快速切换速度、先断后通延迟时间和超功耗。所有输入和输出都配有防静电放电的保护电路，使其具有ESD抗扰性和瞬时过电压。
特色
- R上=0.75Ω（TA.=25°C）科科斯群岛=2.25伏
- R上=0.50Ω（TA.=25°C）科科斯群岛=3.0伏
- R上=0.40Ω（TA.=25°C）科科斯群岛=4.3伏
- 15 kV IEC 61000-4-2 ESD，接触放电
- 8 kV HBM JESD22 A114-B II级
- 4 kV HBM（JESD22 A114-B II级）
- 400V机器型号（JESD22 A115-A）
- 1500 V充电设备型号（JESD22 C101）
