HIP4082IBT是一种中频、中压H桥N沟道MOSFET驱动器IC,可提供16引线塑料SOIC(N)和DIP封装。专门针对PWM电机控制和UPS应用,使用HIP4082IBT H桥驱动器,基于桥的设计变得简单灵活。该设备的工作电压高达80V,最适合中等功率水平的应用。与HIP4081类似,它有一个灵活的输入协议,用于驱动所有可能的开关组合,但会导致直通条件的开关除外。HIP4082降低的驱动电流允许更小的封装,并且具有更大范围的可编程死区时间(0.1至4.5µs),非常适合高达200kHz的开关频率。HIP4082IBT不包含内部电荷泵,但包含上部驱动电路的非锁存电平移位转换控制。这组功能和规格针对尺寸和成本很重要的应用进行了优化。对于需要更高驱动能力的应用,建议使用HIP4080A和HIP4081A。
特色
- 在半桥或全桥配置中独立驱动4个N沟道FET
- 引导电源最大电压至95VDC
- 在50°C的自由空气中驱动1000pF负载,上升和下降时间通常为15ns
- 用户可编程停滞时间(0.1至4.5µs)
- DIS(禁用)超控输入控制并在拉低时刷新自举电容器
- 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
- 穿透式保护
- 欠电压保护
- 无铅可用