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用于IGBT和MOSFET的8引线PDIP封装中，具有典型0.29 A源极和0.6 A漏极电流的600 V半桥驱动器IC。也可提供8铅SOIC、14铅SOIC和14铅PDIP。
对于采用SOI技术的新版本，我们推荐2ED2109S06F，提供集成自举二极管、更好的鲁棒性和更高的开关频率
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRS-B210ST01-R1 | 村田制作所 (Murata) | 传感器型号: PIR（无源红外） 电源电压: 2V～15V 包装/外壳: 5-SMD Module 工作温度: -40摄氏度~70摄氏度（TA） | ¥114.0467 |
 | IRS-B345ST03-R1 | 村田制作所 (Murata) | 电源电压: 2V～15V 包装/外壳: 5-SMD Module 工作温度: -40摄氏度~70摄氏度 | ¥924.09531 |
 | IRSM515-044PA | IRSM515-044 - INTELLIGENT POWER | ¥26.06307 | |
 | IRS20957SPBF | 英飞凌 (Infineon) | 种类: D类 电源电压: 10伏~15伏 供应商设备包装: 16-SOIC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装 | ¥10.89332 |
 | IRSM005-301MH | 英飞凌 (Infineon) | 负载的类型: 电感式、电容式 技术: 功率MOSFET 输出配置: 半桥 电源电压: 10伏~20伏 供应商设备包装: 27-PQFN (7x8) 安装类别: 表面安装 | ¥28.17488 |
| IRSM836-015MA | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 36-PQFN (12x12) 安装类别: 表面安装 | ¥24.11886 | |
 | IRSM515-024PA | 英飞凌 (Infineon) | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 23-SOP 安装类别: 表面安装 | ¥25.27772 |
| IRSM515-084DA | IRSM515-084 - INTELLIGENT POWER | ¥28.39789 | |
 | IRSM505-035DA | 负载的类型: 归纳 技术: UMOS 输出配置: 半桥（3） 电源电压: 13.5伏~16.5伏 供应商设备包装: 23-DIP 安装类别: 通孔 | ¥33.82434 | |
| IRS2108SPBF | IRS2108 - GATE DRIVER | ¥6.94572 |