BS2100F-E2
- 描述:IC DVR IGBT/MOSFET
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 174
- 单价: ¥9.05363
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.05
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 高侧最大电压 (自举) -
- 驱动器配置 -
- 通道类型 -
- 驱动器数量 -
- 闸门类型 -
- 电源电压 -
- 逻辑电压-VIL、VIH -
- 波峰值电流输出 （灌入，提拉） -
- 输入类别 -
- 上升/下降时长（典型值） -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
BS2100F-E2 产品详情
ROHM BS2100F高低侧栅极驱动器可以通过自举操作驱动高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压高达600V。逻辑输入可使用3.3V和5.0V。当VCC和VBS低于规定阈值电压时，欠压锁定（UVLO）电路可防止故障。
BS2100F-E2 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BS2I | 内存保护设备公司 (MPD) | BATTERY CONNECT/SNAP 9V 2" LEADS | ¥14.40874 |
| BS2I-HD | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Connector, Snap 电芯尺寸: 9伏 电池数量: one 端接样式: Wire Leads 包装: 散装 | ¥17.20913 |
| BS2I-MC | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Connector, Snap 电芯尺寸: 9伏 电池数量: one 端接样式: Wire Leads 包装: 散装 | ¥45.91999 |
| BS2T-HD | 内存保护设备公司 (MPD) | BATTERY SNAP 9V 2" LEADS | ¥26.13963 |
| BS2LA | 欧姆龙 (Omron) | 附件种类: 激光对准工具 包装: 散装 系列: BeamSafe II-EP | ¥141.13283 |
| BS2RC24 | 欧姆龙 (Omron) | RECEIVER UNIT BEAMSAFE II | ¥1,219.13941 |
| BS2XC24 | 欧姆龙 (Omron) | TRANS UNIT BEAMSAFE II DC | ¥1,045.29533 |
 | BS2-IC | 视差 (Parallax) | 模块/板卡类型: MCU核心 处理器核心: PIC16C57C 速度: 20MHz 闪存的大小: 2KB EEPROM 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 | ¥408.13742 |
 | BS2PE | 视差 (Parallax) | 模块/板卡类型: MCU核心 处理器核心: SX48AC 速度: 8MHz 闪存的大小: 32KB EEPROM 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 | ¥543.2175 |
 | BS2P40 | 视差 (Parallax) | 模块/板卡类型: MCU核心 处理器核心: SX48AC 速度: 20MHz 闪存的大小: 16KB EEPROM 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度 | ¥741.31082 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
