ISL83202IPZ是一种中频H桥FET驱动器,其峰值驱动电流为1A(典型值),设计用于驱动中压应用中的高侧和低侧N沟道MOSFET。ISL83202IPZ针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化,实现了简单灵活的基于桥接的设计。ISL83202IPZ的典型输入输出传播延迟低至25ns,用户可编程停滞时间范围为0.1µs至4.5µs,是切换频率高达200kHz的理想选择。ISL83202IPZ的死区时间可通过单个电阻器进行编程。ISL83202的四个独立驱动器控制输入(ALI、AHI、BLI和BHI)允许驱动所有可能的开关组合,但会导致直通条件的开关除外。全局禁用输入DIS覆盖输入控制,并使ISL83202IPZ在拉低时刷新自举电容器。集成的欠压保护和直通保护确保系统运行可靠。ISL83202IPZ采用紧凑型16 Ld SOIC和16 Ld PDIP封装,工作温度范围为-55°C至+125°C。
特色
- 在半桥或全桥配置中独立驱动4个N沟道FET
- 引导电源最大电压:70VDC
- 在+50°C的自由空气中驱动1000pF负载,上升和下降时间为15ns(典型值)
- 0.1至4.5µs的用户可编程停滞时间
- DIS(禁用)超控输入控制并在拉低时刷新自举电容器
- 输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
- 穿透式保护
- 欠电压保护
- 可提供无铅加退火(符合RoHS)