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SIC530CD-T1-GE3是集成电路CTLR STAGE 30A 5V PWM PPAK ML，包括VRPowerR系列，它们设计用于MOSFET栅极驱动器产品，类型如数据表说明所示，用于高端低端，提供Digi-ReelR替代封装等封装功能，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DrMOS VRPower商品名，该设备也可以用作PowerPAKR MLP4535-22L封装盒。此外，该技术是功率MOSFET，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），该设备具有安装型表面安装，特点是自举电路、二极管仿真，应用是同步降压转换器，接口是PWM，电压供应为4.5V~5.5V，供应商设备包为POWERPAKR MLP4535-22L，配置为非反相，输出数量为1输出，电流输出通道为30A，故障保护为UVLO，输出配置为半桥，负载类型为电感，电流峰值输出为40A，电压负载为4.5V~20V，停机为无停机，其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围为-40℃，输出电压为5 V，工作电源电流为300 uA，输出电流为30 A，电源电压最大值为20 V，电源电压最小值为4.5 V，驱动器数量为1个驱动器，关闭时间最大值为150 ns，最大关闭延迟时间为20 ns，最大打开延迟时间为20ns。
SIC521ACD-T1-GE3带有用户指南，包括4.5 V~5.5 V电源，它们设计用于4.5 V~18 V电压负载，类型如数据表说明所示，用于高侧低侧，提供DrMOS VRPower等商标功能，技术设计用于功率MOSFET，以及4.5 V电源电压最小值，该器件也可以用作18 V电源电压最大值。此外，供应商器件封装为POWERPAKR MLP4535-22L，该器件为VRPowerR系列，该器件具有MOSFET栅极驱动器产品，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为POWERPAKR MLP4535-22 L，输出电压为3.3 V，输出电流为30 a，输出配置为半桥，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），工作电源电流为300 uA，输出数量为1个输出，驱动器数量为1驱动器，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-40℃，最大开启延迟时间为10 ns，最大关断延迟时间为20ns，最大工作温度范围为+125 C，负载类型为感应式，接口为PWM，特点为自举电路、二极管仿真和故障保护为UVLO，电流峰值输出为40A，电流输出通道为30A，配置为非反相，应用是同步降压转换器。
带有电路图的SIC521CD-T1-GE3，包括同步降压转换器应用，它们设计用于非反相配置，数据表注释中显示了用于30A的电流输出通道，提供电流峰值输出功能，如40A，故障保护设计用于UVLO，以及自举电路、二极管仿真功能，该设备也可以用作PWM接口。此外，负载类型为感应式，其最大工作温度范围为+125 C，设备的最大关断延迟时间为20 ns，最大开启延迟时间为10 ns，其最小工作温度范围是-40 C，安装类型为表面安装，安装样式为SMD/SMT，驱动器数量为1个驱动器，输出数量为1输出，工作电源电流为300uA，工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），输出配置为半桥，输出电流为30A，输出电压为5V，封装外壳为PowerPAKR MLP4535-22L，封装为Digi-ReelR交替封装，产品为MOSFET栅极驱动器，系列为VRPowerR，供应商设备包为POWERPAKR MLP4535-22L，电源电压最大值为18 V，电源电压最小值为4.5 V，技术为功率MOSFET，商品名为DrMOS VRPower，类型为高压侧低压侧，电压负载为4.5 V ~ 18 V，电压供应为4.5 V〜5.5 V。
