描述
FAN7190F085是一种单片高低侧栅极驱动IC,可驱动高达+60V的高速MOSFE T和IGB T。它具有缓冲输出级,所有NMOS晶体管设计用于高脉冲电流驱动能力和最小交叉传导。
Fairchild的高压处理和共模噪声消除技术在高dv/dt噪声环境下提供了高侧驱动器的稳定操作。高级电平移位电路为Ves=15V提供了高达Vs=-9.8V(典型值)的高侧栅极驱动器操作。
当Vop和Ves低于规定阈值电压时,UVLO电路可防止故障。
高电流和低输出电压降特性使该器件适用于磁性和压电型注入器以及基于MOSFET/IIGBT的高端驱动器应用。
特征
■用于+600V自举操作的浮动信道
■通常4.5A/4.5A源极/漏极电流驱动能力
■共模dv/dt噪声消除电路
■两个通道的内置欠压锁定
■两个信道的匹配传播延迟
■3.3V和5V输入逻辑兼容
■输出与输入应用同相柴油和汽油喷射器/阀MOSFET和IGBT高压侧驱动器应用
应用
■柴油和汽油喷射器/阀
■MOSFET和IGBT高端驱动器应用
(图片:引线/示意图)